日前，深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG DAO HUA、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件（见图1）。
图1：AlN HEMT结构
在没有离子注入和窄带隙材料（如二次外延）等改进欧姆接触电阻和加场板改进击穿电压的情况下，LGD为25µm的HEMT器件的关态击穿电压和比导通电阻率分别为2045V和1736mΩ·cm2。增加LGD至50µm，器件关态击穿电压和比导通电阻率将分别变为大于3kV和3012 mΩ·cm2（图2）。后续将继续优化材料性能、欧姆接触、2DEG方阻和器件结构及工艺，进一步提升器件性能。
氮化铝HEMT器件的成功制备对加速我国在氮化铝器件方面的研究，突破功率器件功率密度低和散热差等技术瓶颈具有重要意义。
图2：HEMT器件正向输出特性（左）和器件反向I-V特性（右）